Persberichten

Mitsubishi Electric lanceert tweede generatie Full-SiC-vermogensmodules voor industrieel gebruik

De modules zullen bijdragen aan efficiëntere, kleinere en lichtere elektronische vermogensapparatuur

Deze tekst is een vertaling van de officiële Engelse versie van dit persbericht en is uitsluitend bedoeld voor uw referentie of gemak. Raadpleeg de originele Engelse versie voor details en/of bijzonderheden. In geval van afwijkingen is de originele Engelse versie leidend.

VOOR ONMIDDELLIJKE PUBLICATIE Nr. 3372

TOKIO, 15 september 2020 – Mitsubishi Electric Corporation (TOKIO: 6503) heeft vandaag de lancering aangekondigd van zijn tweede generatie Full-SiC-vermogensmodules (siliciumcarbide) met een nieuw ontwikkelde SiC-chip voor industrieel gebruik. Het lage vermogensverlies en de hoge draaggolffrequentie1 van de SiC-MOSFET (metaaloxide-halfgeleider-veldeffecttransistor) en de SiC-SBD-chips (schottky-barrièrediode) in de modules zullen naar verwachting de ontwikkeling van efficiëntere, kleinere en lichtere vermogensapparatuur in diverse industriële gebieden vereenvoudigen. Te koop vanaf januari 2021.

  1. 1Frequentie die de AAN/UIT-timing van het schakelelement in een omvormerkring bepaalt

  • 1200V/600A, 800A 2-in-1 1700V/300A 2 in 1, chopper, geïntegreerd RTC-circuit

  • 1200V/300A, 400A 4-in-1, geïntegreerd RTC-circuit

  • 1200V/1200A 2-in-1, geïntegreerd RTC-circuit

  • 1200V/400A 4-in-1 1200V/800A 2 in 1

Vorige
Volgende

Producteigenschappen

  1. 1)De modules zullen bijdragen aan energie-efficiëntere, kleinere en lichtere industriële apparatuur
    • De JFET-dopingtechnologie (junction field effect transistor)2 vermindert de weerstand in aan-toestand met ongeveer 15% in vergelijking met conventionele SiC-producten3.
    • Door de spiegelcapaciteit4 te reduceren, is snel schakelen mogelijk en blijft het schakelverlies beperkt.
    • De ingebouwde SiC-MOSFET en SiC-SBD-chips verminderen het vermogensverlies met ongeveer 70% in vergelijking met conventionele Si-IGBT-modules van Mitsubishi Electric.
    • Het verminderde vermogensverlies en de hoge draaggolffrequentie vereenvoudigen de ontwikkeling van kleinere en lichtere externe componenten, zoals reactoren en koelers.
    1. 2Verhoogt de dichtheid van het apparaat door de onzuiverheidsdichtheid in het JFET-gebied te verhogen
    2. 3De eerste generatie SiC-modules (met dezelfde rating) voor industrieel gebruik van Mitsubishi Electric
    3. 4Straycapaciteit tussen Gate en Drain in MOSFET-structuur (Crss) die de schakeltijd beïnvloedt
  2. 2)Het RTC-circuit (Real Time Control) vangt kortsluitingsprestaties en lage weerstand in aan-toestand op
    • Veilige kortsluitingsprestaties en lage weerstand in aan-toestand dankzij het RTC-circuit5 om overmatige stroom tijdens een kortsluiting te blokkeren.
    • Bij kortsluiting wordt overmatige stroom veilig geblokkeerd via een extern beschermingscircuit door het detectiesignaal voor kortsluiting te monitoren.
    1. 5Met uitzondering van de modellen FMF400BX-24B en FMF800DX-24B
  3. 3)Geoptimaliseerde interne chip lay-out voor verbeterde warmteafvoer
    • Gedecentraliseerde en geoptimaliseerde plaatsing van de SiC-MOSFET en de SiC-SBD-chips in de modules verbetert de warmteafvoer waardoor het mogelijk is om gebruik te maken van kleinere koelers of koelers zonder ventilator.

Opmerking

De inhoud van de berichten is correct op het moment van publicatie, maar kan zonder voorafgaande kennisgeving worden gewijzigd.

Vragen

Mediacontact

Vragen van klanten