Deze tekst is een vertaling van de officiële Engelse versie van dit persbericht en is uitsluitend bedoeld voor uw referentie of gemak. Raadpleeg de originele Engelse versie voor details en/of bijzonderheden. In geval van afwijkingen is de originele Engelse versie leidend.

VOOR ONMIDDELLIJKE PUBLICATIE Nr. 3367

TOKIO, 25 augustus 2020 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKIO: 6503) heeft vandaag de lancering aangekondigd van zijn LV100-type T-serie insulated-gate bipolar transistor (IGBT, bipolaire transistor met geïsoleerde poort) module voor industrieel gebruik. Het LV100-pack biedt grote veelzijdigheid en bereikt een hoge stroomdichtheid. Het wordt op grote schaal gebruikt in toepassingen voor spoorwegen en elektrisch vermogen, en is nu aangepast voor industrieel gebruik. Naar verwachting zal het pack de afmetingen en het vermogensverlies van vermogensomzetters helpen verminderen, met name bij omvormers die worden gebruikt voor toepassingen in het segment hernieuwbare energie, bijvoorbeeld bij de opwekking van fotovoltaïsche energie en windenergie evenals bij aandrijvingsmotoren met hoge capaciteit. In september zal gestart worden met de verkoop.

LV100-type T-serie IGBT-module voor industrieel gebruik

Producteigenschappen

1. 1)Het algemene ontwerp van het LV100-pack is aangepast en geoptimaliseerd voor industrieel gebruik
   • Het LV100-pack wordt op grote schaal gebruikt in toepassingen voor spoorwegen en elektrische voeding. Het is nu aangepast en geoptimaliseerd zodat packs voor industriële toepassingen meer gestandaardiseerd kunnen worden.
2. 2)Indrukwekkende stroomdichtheid voor kleine en meer energiezuinige omvormers
   • De LV100 is uitgerust met de nieuwste (7^e generatie) IGBT die gebruikmaakt van de CSTBT™ ¹ structuur en een RFC (Relax Field of Cathode) diode² voor minder vermogensverlies. In deze krachtige IGBT-module wordt een indrukwekkende³ stroomdichtheid van 17,14 A/cm² gegenereerd door de packstructuur te optimaliseren. Met dit pack kunnen vermogensomzetters geminimaliseerd worden, bijvoorbeeld omvormers voor hernieuwbare energiebronnen en aandrijvingsmotoren met hoge capaciteit (1700 V/1200 A en 1200 V/1200 A).
   1. 1De structuur van de originele IGBT van Mitsubishi Electric maakt gebruik van het opslageffect van de drager
   2. 2De originele diode van Mitsubishi Electric die de elektronenmobiliteit aan de kant van de kathode optimaliseert
   3. 3Vanaf 25 augustus 2020 volgens onderzoek van Mitsubishi Electric
3. 3)Geoptimaliseerde interne structuur voor een hogere betrouwbaarheid van omvormersystemen
   • Door geïsoleerde en op koper gebaseerde onderdelen in de structuur te integreren en de interne elektrodestructuur te optimaliseren, wordt de levenscyclus van de thermiek⁴ verlengd en wordt sectorbreed het hoogste niveau³ van low-pack inductantie behaald, wat zal bijdragen aan de betrouwbaarheid van de apparatuur.
   • De lay-out van de klemmen is geoptimaliseerd voor eenvoudige parallelschakeling en flexibele omvormerconfiguraties en -capaciteiten.
   • Drie AC-hoofdklemmen helpen bij het spreiden en nivelleren van de stroomdichtheid voor een hogere capaciteit van omvormers.
   1. 4Levensduur als gevolg van spanning en rek veroorzaakt door een relatief geleidelijke temperatuursverandering die ontstaat bij het starten en stoppen van het systeem

Verkoopschema

1. 5De CM800DW-34TA is voorzien van een grote vrijloopdiode

• PDF-versie (PDF: 221 KB)

Vragen

Mediacontact

• Public Relations Division Mitsubishi Electric Corporation

Vragen van klanten

• Power Device Overseas Marketing Dept.A and Dept.B Mitsubishi Electric Corporation