Deze tekst is een vertaling van de officiële Engelse versie van dit persbericht en is uitsluitend bedoeld voor uw referentie of gemak. Raadpleeg de originele Engelse versie voor details en/of bijzonderheden. In geval van afwijkingen is de originele Engelse versie leidend.

VOOR ONMIDDELLIJKE PUBLICATIE Nr. 3361

TOKIO, 16 juni 2020 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) kondigde vandaag de lancering aan van zijn N-serie 1200V SiC-MOSFET (silicium-carbide metaal-oxide-halfgeleider-veldeffecttransistor) met een laag stroomverlies en een hoge self-turn-on-tolerantie¹. De nieuwe serie zal het stroomverbruik helpen reduceren en stroomvoorzieningssystemen miniaturiseren die een hoogspanningsconversie vereisen, zoals boordladers van elektrische voertuigen (EV), fotovoltaïsche energiesystemen, enz. In juli zal worden gestart met de verzending van samples.

Mitsubishi Electric zal zijn nieuwe N-serie 1200V SiC-MOSFET tentoonstellen op grote beurzen, waaronder PCIM Asia 2020 in Shanghai, China, van 16 tot 18 november.

1. 1Ingangscapaciteit/spiegelcapaciteit (Ciss/Crss), zoals berekend door Mitsubishi Electric

N-serie 1200V SiC-MOSFET

Producteigenschappen

1. 1)Vermindering van het stroomverbruik en miniaturisatie van stroomvoorzieningssystemen
   • De JFET-dopingtechnologie (junction field effect transistor) vermindert zowel het schakelverlies als de weerstand in aan-toestand, waardoor een toonaangevend² prestatiegetal (FOM³) van 1,450mΩ·nC wordt bereikt. Het stroomverbruik in stroomvoorzieningssystemen wordt met ongeveer 85% verminderd in vergelijking met het gebruik van conventionele Si-IGBT’s.
   • Door de spiegelcapaciteit⁴ te reduceren, verbetert de self-turn-on-tolerantie met 14 keer ten opzichte van de producten van de concurrent. Zo kan een snelle schakelhandeling worden gerealiseerd en wordt schakelverlies verminderd.
   • Een vermindering van het schakel-/stroomverlies maakt het mogelijk om koelsystemen te verkleinen en te vereenvoudigen, evenals om randcomponenten te verkleinen, zoals de reactor, door de vermogenshalfgeleider met een hogere draaggolffrequentie⁵ aan te drijven, waardoor de kosten en de omvang van de totale stroomvoorzieningssystemen kunnen worden verminderd.
   1. 2Vanaf 16 juni 2020 volgens onderzoek van Mitsubishi Electric
   2. 3Prestatie-index van Power MOSFET, berekend door de weerstand in aan-toestand te vermenigvuldigen met de gate-drain charge (100°C junctietemperatuur). Kleinere waarden duiden op betere prestaties
   3. 4Straycapaciteit tussen Gate en Drain in MOSFET-structuur (Crss)
   4. 5Frequentie die de AAN/UIT-timing van het schakelelement in een omvormerkring bepaalt
2. 2)Zes modellen voor diverse toepassingen, waaronder AEC-Q101-conforme modellen
   • De productlijn omvat modellen die voldoen aan de AEC-Q101-normen van Automotive Electronics Council. Daarom kan de N-serie SiC-MOSFET niet alleen worden gebruikt in industriële toepassingen zoals fotovoltaïsche systemen, maar ook in EV-boordladers.

Verkoopschema

• PDF-versie (PDF : 277KB)

Vragen

Mediacontact

• Public Relations Division Mitsubishi Electric Corporation

Vragen van klanten

• Power Device Overseas Marketing Dept.A and Dept.B Mitsubishi Electric Corporation