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POUR DIFFUSION IMMÉDIATE n° 3612

Module de semi-conducteurs de puissance intégralement fabriqué en SiC de type NX pour équipements industriels

TOKYO, le 13 juin 2023 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO : 6503) a annoncé aujourd'hui qu'elle allait commencer à expédier, dès le 14 juin, des exemplaires de son nouveau module de semi-conducteurs de puissance intégralement fabriqué en SiC (carbure de silicium) de type NX pour les équipements industriels. Ce module, qui réduit l'inductance interne et intègre une puce SiC de deuxième génération, devrait contribuer à la mise au point d'équipements industriels plus efficaces, plus petits et plus légers.
Les semi-conducteurs de puissance sont de plus en plus utilisés pour convertir l'énergie électrique de manière très efficace et ainsi contribuer à réduire l'empreinte carbone de la société mondiale. Les attentes sont particulièrement élevées pour les semi-conducteurs de puissance SiC en raison de leur capacité à réduire considérablement les pertes de puissance. La demande est en pleine expansion concernant les semi-conducteurs de puissance à hautes performances et haut rendement, capables d'améliorer l'efficacité de conversion de puissance des composants tels que les onduleurs utilisés dans les équipements industriels.
Mitsubishi Electric a commencé à lancer des modules de semi-conducteurs de puissance équipés de puces SiC en 2010. Le nouveau module, doté d'une puce SiC à faible perte et d'une structure d'électrodes optimisée, réduit l'inductance interne de 47 % par rapport à son prédécesseur¹, ce qui permet de diminuer la perte de puissance.
Le développement de ce produit SiC a été partiellement pris en charge par l'agence japonaise New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO, pour Organisation pour le développement des énergies nouvelles et des technologies industrielles).

1. 1Par rapport au module IGBT de type NX Si série T 1 700 V/600 A (CM600DX-34T) sur la base de mesures avec des conditions déterminées par Mitsubishi Electric

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