Communiqués de presse

Mitsubishi Electric lance le module IGBT 2,0 kV série T pour les applications industriellesAugmente l'efficacité et la densité de puissance des systèmes d'alimentation en énergie renouvelable d'une tension nominale de 1 500 V CC

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POUR DIFFUSION IMMÉDIATE n° 3417

TOKYO, 9 juin 2021 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO : 6503) a annoncé aujourd'hui le lancement prochain, le 30 juin, de son module IGBT (transistor bipolaire à porte isolée) 2,0 kV série T pour les applications industrielles, le premier IGBT¹ au monde offrant une tension de tenue de 2,0 kV. Le module est idéal pour améliorer l'efficacité et réduire la taille des convertisseurs de puissance d'énergie renouvelable, très demandés en raison de l'utilisation croissante de systèmes d'alimentation en énergie renouvelable. Le module sera présenté lors de l'exposition virtuelle de l'APEC (Applied Power Electronics Conference) 2021, qui se tiendra du 15 au 16 juin.

1Selon une étude réalisée par Mitsubishi Electric, au 9 juin 2021

Module IGBT 2,0 kV série T pour les applications industrielles (2,0 kV/400 A)

Caractéristiques du produit

1)Premier IGBT au monde offrant une tension de tenue de 2,0 kV pour des convertisseurs de puissance 1 500 V CC plus compacts
- Premier IGBT de 2,0 kV au monde adapté aux convertisseurs de puissance d'une tension nominale de 1 500 V CC, difficiles à concevoir avec les IGBT classiques de 1,7 kV.
- Permet de développer des convertisseurs de puissance plus simples et plus compacts d'une tension nominale de 1 500 V CC sans avoir besoin d'une topologie complexe, telle que la connexion NPC à trois niveaux (connexion de type I).²
1. 2Topologie de circuit consistant en quatre IGBT connectés en série et deux diodes de niveau connectées au point neutre de tension dans une branche
2)Les IGBT de 7e génération et les diodes RFC permettent de réduire la perte de puissance dans les convertisseurs de puissance
- Compatibilité avec les applications haute tension à faible perte de puissance comme les tout derniers IGBT (7e génération) avec structure CSTBT™ ³ et les diodes RFC (Relax Field of cathode)⁴ optimisées pour une tension de tenue élevée.
1. 3IGBT unique de Mitsubishi Electric utilisant l'effet cumulatif du support
2. 4Diode originale de Mitsubishi Electric qui optimise la mobilité des électrons du côté cathode

Les semi-conducteurs de puissance permettant de contrôler efficacement l'énergie électrique se développent dans de plus en plus d'applications et sont de plus en plus demandés comme dispositifs clés pouvant aider à réduire l'empreinte carbone à l'échelle mondiale. Dans le même temps, la législation exige que les réseaux électriques qui utilisent des sources d'énergies renouvelables augmentent le rendement de conversion d'énergie grâce au déploiement de tensions de fonctionnement de système plus élevées. C'est pour cela que les convertisseurs de puissance d'une tension nominale de 1 500 V CC (la limite supérieure de la directive basse tension⁵) ont été développés. Mitsubishi Electric va bientôt lancer sa série T d'IGBT 2,0 kV adaptée aux convertisseurs de puissance 1 500 V CC, qui devrait simplifier la conception et permettre de réduire la taille de ces convertisseurs, tout en améliorant leur efficacité.

5Réglementations de sécurité communes permettant d'accepter l'utilisation d'équipements électriques approuvés par un pays membre de l'UE dans tous les autres pays de l'UE