Communiqués de presse
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POUR DIFFUSION IMMÉDIATE n° 3397
TOKYO, le 18 février 2021 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO : 6503) a annoncé aujourd'hui que deux nouveaux transistors à haute mobilité d'électrons au nitrure de gallium (GaN HEMT) 13,75 à 14,5 GHz (bande Ku) 30 W (45,3 dBm) seront ajoutés à la gamme GaN HEMT de la société pour les stations terrestres de télécommunication par satellite (SATCOM). Les deux produits, l'un pour la communication multi-porteuse1 et l'autre pour la communication mono-porteuse2, permettront d'augmenter la capacité de transmission des données et de réduire la taille des stations terrestres. Les ventes démarreront le 15 mars.
GaN HEMT pour stations terrestres de télécommunication par satellite à bande Ku
MGFK45G3745 30 W mono-porteur (à gauche) et MGFK45G3745A 30 W multi-porteur (à droite)
Des systèmes satellites à bande Ku sont de plus en plus déployés pour les communications d'urgence pendant les catastrophes naturelles et pour la collecte d'informations par satellite (SNG) par les chaînes de télévision dans les régions isolées où il n'existe pas de réseaux câblés. Parallèlement, en plus de l'utilisation croissante des communications conventionnelles mono-porteuses, la communication multi-porteuse est de plus en plus nécessaire pour les communications rapides à volume élevé et pour contribuer à la réduction de la taille des stations mobiles à des fins telles que la SNG. Jusqu'à présent, Mitsubishi Electric a introduit cinq GaN HEMT pour les stations terrestres de télécommunication par satellite multi-porteuses et mono-porteuses. Les deux nouveaux GaN HEMT 30 W permettront des conceptions d'amplificateurs plus flexibles, notamment pour les niveaux de puissance nominale et l'utilisation de dispositifs GaN. Ils contribueront également à la réduction de la taille des stations terrestres ainsi qu'à une communication par satellite plus rapide et à plus grande capacité.
Produit | Application | Modèle | Résumé | Date de lancement | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Fréquence | Puissance de sortie saturée |
Application | ||||
Transistors GaN-HEMT à bande Ku |
Stations terrestres de télécommunication par satellite |
MGFK45G3745A | 13,75 à 14,5 GHz |
45,3 dBm (30 W) |
Multi-porteuse | 15 mars 2021 |
MGFK45G3745 | 45,3 dBm (30 W) |
Mono-porteuse |
Le MGFK45G3745A pour les communications multi-porteuses offre une faible IMD33 avec de larges fréquences de décalage4 jusqu'à 400 MHz pour les communications par satellite à haute vitesse et à grande capacité.
Communication multi-porteuse (nouveau modèle en gras)
Modèle | MGFK45G3745A | MGFK48G3745A | MGFK50G3745A |
Fréquence | 13,75 GHz à 14,5 GHz | ||
Puissance de sortie saturée |
45,3 dBm (30 W) |
48,3 dBm (70 W) |
50,0 dBm (100 W) |
Gain linéaire | 9,5 dB | 11 dB | 10 dB |
Fréquence de décalage @IMD3 = -25 dBc |
Jusqu'à 400 MHz | Jusqu'à 400 MHz | Jusqu'à 200 MHz |
Communication mono-porteuse (nouveau modèle en gras)
Modèle | MGFK45G3745 | MGFK48G3745 | MGFK50G3745 | MGFG5H1503 |
Fréquence | 13,75 GHz à 14,5 GHz | |||
Puissance de sortie saturée |
45,3 dBm (30 W) |
48,3 dBm (70 W) |
50,0 dBm (100 W) |
43,0 dBm (20 W) |
Gain linéaire | 9,5 dB | 12 dB | 10 dB | 24 dB |
Fréquence de décalage @IMD3 = -25 dBc |
Jusqu'à 5 MHz | Jusqu'à 5 MHz | Jusqu'à 5 MHz | Jusqu'à 5 MHz |
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