Communiqués de presse

Mitsubishi Electric étend sa gamme de transistors à haute mobilité d'électrons à bande Ku (GaN-HEMT)Pour les communications multi-porteuses et mono-porteuses, une capacité de données augmentée et des stations terrestres de télécommunication par satellite plus petites

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POUR DIFFUSION IMMÉDIATE n° 3397

TOKYO, le 18 février 2021 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO : 6503) a annoncé aujourd'hui que deux nouveaux transistors à haute mobilité d'électrons au nitrure de gallium (GaN HEMT) 13,75 à 14,5 GHz (bande Ku) 30 W (45,3 dBm) seront ajoutés à la gamme GaN HEMT de la société pour les stations terrestres de télécommunication par satellite (SATCOM). Les deux produits, l'un pour la communication multi-porteuse1 et l'autre pour la communication mono-porteuse2, permettront d'augmenter la capacité de transmission des données et de réduire la taille des stations terrestres. Les ventes démarreront le 15 mars.

  1. 1 Méthode de communication vocale, vidéo et de données utilisant des signaux porteurs de différentes fréquences
  2. 2 Méthode de communication utilisant un signal porteur mono-fréquence

GaN HEMT pour stations terrestres de télécommunication par satellite à bande Ku
MGFK45G3745 30 W mono-porteur (à gauche) et MGFK45G3745A 30 W multi-porteur (à droite)

Des systèmes satellites à bande Ku sont de plus en plus déployés pour les communications d'urgence pendant les catastrophes naturelles et pour la collecte d'informations par satellite (SNG) par les chaînes de télévision dans les régions isolées où il n'existe pas de réseaux câblés. Parallèlement, en plus de l'utilisation croissante des communications conventionnelles mono-porteuses, la communication multi-porteuse est de plus en plus nécessaire pour les communications rapides à volume élevé et pour contribuer à la réduction de la taille des stations mobiles à des fins telles que la SNG. Jusqu'à présent, Mitsubishi Electric a introduit cinq GaN HEMT pour les stations terrestres de télécommunication par satellite multi-porteuses et mono-porteuses. Les deux nouveaux GaN HEMT 30 W permettront des conceptions d'amplificateurs plus flexibles, notamment pour les niveaux de puissance nominale et l'utilisation de dispositifs GaN. Ils contribueront également à la réduction de la taille des stations terrestres ainsi qu'à une communication par satellite plus rapide et à plus grande capacité.

Planning des ventes

Produit Application Modèle Résumé Date de lancement
Fréquence Puissance
de sortie
saturée		 Application
Transistors
GaN-HEMT
à bande Ku		 Stations terrestres
de télécommunication par satellite		 MGFK45G3745A 13,75 à 14,5
GHz		 45,3 dBm
(30 W)		 Multi-porteuse 15 mars 2021
MGFK45G3745 45,3 dBm
(30 W)		 Mono-porteuse

Caractéristiques du produit

  1. 1)Faible IMD3 avec larges fréquences de décalage allant jusqu'à 400 MHz pour les stations terrestres de télécommunication à grande capacité

    Le MGFK45G3745A pour les communications multi-porteuses offre une faible IMD33 avec de larges fréquences de décalage4 jusqu'à 400 MHz pour les communications par satellite à haute vitesse et à grande capacité.

    1. 3 Différence de fréquence entre des signaux à deux tonalités lors de mesures pour l'IMD3.
    2. 4 Distorsion d'intermodulation de troisième ordre, mesure de distorsion d'un amplificateur dans le cas de signaux à deux tonalités.

  2. 2)La gamme GaN HEMT étendue permettra la création de stations terrestres de télécommunication par satellite plus petites

    Communication multi-porteuse (nouveau modèle en gras)

    Modèle MGFK45G3745A MGFK48G3745A MGFK50G3745A
    Fréquence 13,75 GHz à 14,5 GHz
    Puissance
    de sortie saturée    		 45,3 dBm
    (30 W)    		 48,3 dBm
    (70 W)    		 50,0 dBm
    (100 W)
    Gain linéaire 9,5 dB 11 dB 10 dB
    Fréquence de décalage
    @IMD3 = -25 dBc    		 Jusqu'à 400 MHz Jusqu'à 400 MHz Jusqu'à 200 MHz

    Communication mono-porteuse (nouveau modèle en gras)

    Modèle MGFK45G3745 MGFK48G3745 MGFK50G3745 MGFG5H1503
    Fréquence 13,75 GHz à 14,5 GHz
    Puissance
    de sortie saturée    		 45,3 dBm
    (30 W)    		 48,3 dBm
    (70 W)    		 50,0 dBm
    (100 W)    		 43,0 dBm
    (20 W)
    Gain linéaire 9,5 dB 12 dB 10 dB 24 dB
    Fréquence de décalage
    @IMD3 = -25 dBc    		 Jusqu'à 5 MHz Jusqu'à 5 MHz Jusqu'à 5 MHz Jusqu'à 5 MHz

Remarque

Veuillez noter que les communiqués de presse sont exacts au moment de la publication, mais peuvent être sujets à modifications sans préavis.

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