Communiqués de presse

Mitsubishi Electric lance le module IGBT de type LV100 série T pour les applications industrielles

Réduit la consommation d'énergie et la taille des systèmes d'alimentation en énergie renouvelable, et plus encore

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POUR DIFFUSION IMMÉDIATE, n° 3367

TOKYO, 25 août 2020Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO : 6503) a annoncé aujourd'hui le lancement de son module IGBT (transistor bipolaire à porte isolée) de type LV100 série T pour les applications industrielles. Le boîtier du module LV100, qui offre une grande polyvalence et une densité de courant élevée, est largement utilisé dans les applications ferroviaires et électriques, et a été adapté aux applications industrielles. Il devrait contribuer à réduire la taille et les pertes de puissance des convertisseurs de puissance, en particulier des onduleurs utilisés pour les applications des énergies renouvelables telles que la production d'énergie photovoltaïque et éolienne, ainsi que des entraînements de moteur haute capacité. Les ventes commenceront cette année en septembre.

Module IGBT de type LV100 série T pour les applications industrielles

Caractéristiques du produit

  1. 1)Boîtier LV100 à profil simple, adapté et optimisé pour les applications industrielles
    • Le boîtier LV100, largement utilisé dans les applications ferroviaires et électriques, a été adapté et optimisé pour contribuer à normaliser les boîtiers de modules pour les applications industrielles.
  2. 2)Densité de courant inégalée pour onduleurs de petite taille et plus économes en énergie
    • Le LV100 est équipé du tout dernier module IGBT (7e génération), qui utilise la structure CSTBT™ 1, et les diodes RFC (Relax Field of Catode)2 pour une faible perte de puissance. Une densité de courant inégalée3 de 17,14 A/cm2 est obtenue dans ce module IGBT haute puissance en optimisant la structure du boîtier. Le boîtier contribuera à miniaturiser les convertisseurs de puissance, tels que les onduleurs pour les sources d'énergie renouvelables, ainsi que les entraînements de moteur haute capacité (1 700 V/1 200 A et 1 200 V/1 200 A).
    1. 1Structure IGBT originale de Mitsubishi Electric utilisant l'effet de stockage du support
    2. 2Diode originale de Mitsubishi Electric qui optimise la mobilité des électrons du côté de la cathode
    3. 3Au mardi 25 août 2020 selon une étude réalisée par Mitsubishi Electric
  3. 3)Structure interne optimisée pour des systèmes d'onduleurs plus fiables
    • L'intégration des pièces isolées à base de cuivre dans la structure et l'optimisation de la structure interne des électrodes augmentent la durée de vie du cycle thermique4 et permettent d'obtenir la meilleure inductance basse classe du secteur3, ce qui contribue à la fiabilité de l'équipement.
    • La configuration du terminal est optimisée pour faciliter la connexion en parallèle et permettre une flexibilité des configurations et capacités de l'onduleur.
    • Trois terminaux principaux AC permettent une meilleure distribution de la densité du courant, améliorant ainsi les capacités de l'onduleur.
    1. 4Durée de vie due à une contrainte causée par un changement de température relativement progressif généré par le démarrage et l'arrêt du système

Planning des ventes

Produit Modèle Valeur nominale Date de sortie
Module IGBT de type LV100 série T
pour les applications industrielles
CM800DW-24T 1 200 V / 800 A Septembre 2020
CM1200DW-24T 1 200 V / 1200A
CM800DW-34T 1700V / 800 A
CM800DW-34TA5 1700V / 800 A
CM1200DW-34T 1700V / 1200A
  1. 5Le CM800DW-34TA utilise une grande diode de roue libre

Remarque

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