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POUR DIFFUSION IMMÉDIATE n° 3597

Module SiC-MOSFET à SBD intégrée de 3,3 kV

TOKYO, le 8 mai 2023 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO : 6503) a annoncé aujourd'hui qu'elle allait commencer, le 31 mai, l'envoi d'exemplaires d'un nouveau module de transistor à effet de champ à structure métal-oxyde-semi-conducteur (MOSFET) au carbure de silicium (SiC) à diode à barrière de Schottky (SBD) intégrée, avec tension de tenue de 3,3 kV et rigidité diélectrique de 6,0 kVrms dual-type. Ce nouveau module devrait offrir une puissance, une efficacité et une fiabilité supérieures dans les systèmes d'onduleur pour équipements industriels de grande taille, tels que les lignes ferroviaires et les systèmes d'alimentation électrique. Il sera présenté lors de salons majeurs, notamment le salon Power Conversion Intelligent Motion (PCIM) Europe 2023 qui se tiendra du 9 au 11 mai à Nuremberg, en Allemagne.

Mitsubishi Electric a déjà lancé quatre modules intégralement fabriqués en SiC et deux modules LV100 dual-type haute tension de 3,3 kV. Pour contribuer davantage à augmenter la puissance, l'efficacité et la fiabilité des onduleurs destinés aux équipements industriels de grande taille, la société fournira bientôt des exemplaires de son nouveau module, lequel réduit les pertes de commutation en tant que module SiC-MOSFET avec une SBD intégrée et une structure de boîtier optimisée.

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