Communiqués de presse

Mitsubishi Electric lance le module MOSFET haute puissance RF en silicone 50 W pour radio bidirectionnelle commercialePermet d'étendre la portée de communication et de réduire la consommation d'énergie

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POUR DIFFUSION IMMÉDIATE n° 3537

Module MOSFET haute puissance RF en silicone (RA50H7687M1)


TOKYO, 14 juillet 2022Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO : 6503) a annoncé aujourd'hui le lancement le 1er août d'un module haute puissance de transistors à effet de champ à structure métal-oxyde-semi-conducteur en silicone (MOSFET) pour radiofréquence (RF) de 50 W à utiliser dans les amplificateurs de puissance haute fréquence des radios bidirectionnelles commerciales. Le modèle, qui offre une puissance de sortie de 50 W de pointe1 dans la bande de 763 MHz à 870 MHz et une efficacité totale élevée2 de 40 %, devrait contribuer à étendre la portée des communications radio et à réduire la consommation d'énergie.

Les bandes de fréquence 150 MHz et 400 MHz utilisées pour divers systèmes sans fil sont désormais saturées en Amérique du Nord et sur d'autres marchés. En conséquence, la bande 700 MHz, anciennement utilisée pour la diffusion de télévision analogique, a été réaffectée aux radios bidirectionnelles commerciales. Il en résulte une augmentation de la demande de radios prenant en charge cette bande. Cependant, les amplificateurs de puissance conventionnels subissent une perte de puissance importante. Il est donc nécessaire de disposer de modules MOSFET haute puissance RF offrant un circuit d'adaptation de l'impédance d'entrée/de sortie3 intégré et des performances de puissance de sortie garanties. Le nouveau MOSFET haute puissance RF en silicone (RA50H7687M1), qui atteint une puissance de sortie inégalée et une efficacité totale élevée pour les radios commerciales compatibles avec la bande 700 MHz, devrait étendre la portée de communication et réduire la consommation de ces radios.



  1. 1Au 14 juillet 2022, selon les recherches de Mitsubishi Electric sur les amplificateurs de puissance dans la bande 763 MHz à 870 MHz avec une puissance d'entrée de 50 mW
  2. 2Efficacité de puissance convertie en ondes haute fréquence
  3. 3Circuit qui supprime les pertes et transmet des signaux en s'adaptant aux impédances d'entrée et de sortie

Remarque

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