Communiqués de presse
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POUR DIFFUSION IMMÉDIATE n° 3372
TOKYO, 15 septembre 2020 – Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO : 6503) a annoncé aujourd'hui le lancement prochain de modules d'alimentation intégralement fabriqués en SiC (carbure de silicium) de deuxième génération à usage industriel, dotés de nouvelles puces SiC. Les caractéristiques de faible perte de puissance et le fonctionnement à fréquence porteuse élevée1 des puces SiC-MOSFET (transistors à effet de champ à structure métal-oxyde-semi-conducteur en carbure de silicium) et SiC-SBD (diode à barrière Schottky) de ces modules devraient faciliter le développement d'équipements électroniques plus efficaces, plus petits et plus légers dans divers domaines industriels. Les ventes commenceront en janvier 2021.
1 200 V/600 A, 800 A 2 en 1 1 700 V/300 A 2-en-1, circuit RTC découpeur intégré
1 200 V/300 A, 400 A 4 en 1, circuit RTC intégré
1 200 V/1 200 A 2 en 1, circuit RTC intégré
1 200 V/400 A 4 en 1, 1 200 V/800 A 2-en-1
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