Deze tekst is een vertaling van de officiële Engelse versie van dit persbericht en is uitsluitend bedoeld voor uw referentie of gemak. Raadpleeg de originele Engelse versie voor details en/of bijzonderheden. In geval van afwijkingen is de originele Engelse versie leidend.

VOOR ONMIDDELLIJKE PUBLICATIE Nr. 3323

TOKIO, 12 december 2019 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKIO: 6503) heeft vandaag bekendgemaakt dat zijn assortiment galliumnitride transistors met hoge elektronenmobiliteit (GaN-HEMTs) voor grondstations met satellietcommunicatie (SATCOM) wordt uitgebreid met de nieuwe Ku-band (12-18 GHz) GaN-HEMTs van 70 en 100 W die voor multi-carrier toepassingen geschikt zijn. Het 70W-model GaN-HEMT behaalt lage intermodulatievervorming van de derde orde (IMD3)* met een brede offsetfrequentie^** tot wel 400 MHz. Dit wordt als het hoogste niveau binnen de sector gezien, terwijl het 100W-model GaN HEMT een ongekend uitgangsvermogen met lage IMD3 en een offsetfrequentie tot 200 MHz combineert. Mitsubishi Electric begint op 15 januari met de verzending van exemplaren van beide modellen.

1. *Meting van de vervorming van een versterker in het geval van tweetonige signalen
2. **Frequentieverschil tussen tweetonige signalen, gebruikt in IMD3-metingen

GaN HEMTs voor Ku-band SATCOM-grondstations
Links: MGFK50G3745A (100 W) Rechts: MGFK48G3745A (70 W)

De vraag naar satellietcommunicatie en nieuwsinzameling per satelliet (SNG) via Ku-band neemt snel toe om communicatie te ondersteunen tijdens natuurrampen en in landelijke gebieden waar de installatie van kabelnetwerkuitrusting lastig is. Bovendien is voor communicatie met grote capaciteit en voor hogesnelheidscommunicatie steeds meer multi-carrier en single-carrier satellietcommunicatie nodig. Mitsubishi Electrics nieuwe GaN HEMTs zullen naar verwachting sneller voor kleinere grondstations zorgen en een snellere en omvangrijkere communicatie voor uiteenlopende behoeftes mogelijk maken.

Verkoopschema

Producteigenschappen

1. 1) Toonaangevende brede offsetfrequentie, tot 400 MHz voor satellietcommunicatie met grote capaciteit
   • Het MGFK48G3745A-model maakt gebruik van een nieuw bijpassend circuit dat een toonaangevende brede offsetfrequentie oplevert, die 80 keer groter is dan die van de huidige modellen, en een lage IMD3 met een brede offsetfrequentie van wel 400 MHz, voor satellietcommunicatie met grote capaciteit en hoge snelheid, inclusief voor multiple carriers.
2. 2) Ongeëvenaard uitgangsvermogen tot 100 W draagt bij aan de inkrimping van SATCOM-grondstations
   • Het MGFK50G3745A-model maakt gebruik van bijpassende circuits voor geoptimaliseerde transistors die voor een uitgaand piekvermogen zorgen van 100 W en een lage IMD3, die bijdragen aan de inkrimping van SATCOM-grondstations dankzij kleinere boordcomponenten.

• Pdf-versie (pdf: 168 KB)

Vragen

Mediacontact

• Afdeling Public Relations Mitsubishi Electric Corporation

Vragen van klanten

• Marketing halfgeleiders en apparatuur Afd.B Mitsubishi Electric Corporation GaN High Frequency Devices website